该主控提供PCIe 4个Lane和8个NAND Flash通道，支持3D MLC/TLC/QLC的NAND，使用LDPC以及Enhance RAID增强了数据可靠性和耐久性。支持1.2V和1.8V接口电压，国密SM2/SM3/SM4，TCG OPAL。消费级工作温度范围：0°C-70°C，工业级工作温度范围：-40°C-85°C。顺序读写速度高达3500MB/s，3200MB/s，随机读写速度都高达800K IOPS。
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三星对相关报导进行回应，表示对第二条产线的第二阶段投资额尚未确定，将视市况而定。据悉，三星西安厂主要用于生产3D NAND，曾在2017年宣布，未来三年将对西安厂投资70亿美元，第二阶段投资将于2019年7月份完成，2020年1季度开始投产。但三星现已表明尚未决定对西安厂二期工厂进行额外投资。
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